Semiconductor device

   
   

The present invention relates to a display device. In particular, the display device of the present invention has a gate electrode over a substrate, the gate electrode has a lamination of a first conductive layer over the substrate and a second conductive layer on the first conductive layer; a semiconductor layer over the gate electrode with a gate insulating film interposed between; an insulating film in contact with a portion of the semiconductor layer; and at least one of source and drain electrodes formed in contact with a portion of the insulating film, where the first conductive layer does not have a tapered cross section, and the second conductive layer has a tapered cross section.

Die anwesende Erfindung bezieht auf einem Sichtanzeigegerät. Insbesondere hat das Sichtanzeigegerät der anwesenden Erfindung eine Gate-Elektrode über einem Substrat, hat die Gate-Elektrode eine Laminierung einer ersten leitenden Schicht über dem Substrat und der zweiten leitenden Schicht auf der ersten leitenden Schicht; eine Halbleiterschicht über der Gate-Elektrode mit einem isolierenden Film des Gatters zwischen vermittelt; ein isolierender Film in Verbindung mit einem Teil der Halbleiterschicht; und eine mindestens von der Quelle und von Abflußelektroden, die in Verbindung mit einem Teil des isolierenden Filmes gebildet werden, in dem die erste leitende Schicht nicht einen sich verjüngenden Querschnitt hat, und der zweiten leitenden Schicht hat einen sich verjüngenden Querschnitt.

 
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< Active type solid-state imaging device with reduced pixel leak current

< Semiconductor device and method of manufacturing the same

> Electro-optical device and manufacturing method thereof

> Fused passive organic light emitting displays

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