A semiconductor device that uses a high reliability TFT structure is
provided. The gate electrode of an n-channel type TFT is formed by a first
gate electrode and a second gate electrode that covers the first gate
electrode. LDD regions have portions that overlap the second gate
electrode through a gate insulating film, and portions that do not
overlap. As a result, the TFT can be prevented from degradation in an ON
state, and it is possible to reduce the leak current in an OFF state.
Un dispositif de semi-conducteur qui emploie une structure élevée de la fiabilité TFT est fourni. L'électrode de porte d'un type TFT de n-canal est constituée par une première électrode de porte et une deuxième électrode de porte qui couvre la première électrode de porte. Les régions de LDD ont des parties qui recouvrent la deuxième électrode de porte par un film isolant de porte, et des parties qui ne recouvrent pas. En conséquence, le TFT peut être empêché de la dégradation dans DESSUS un état, et il est possible de réduire le courant de fuite dans AU LOIN un état.
