A semiconductor light emitting device is disclosed, which comprises a
substrate, and a multi-layer semiconductor film formed on the substrate,
the multi-layer semiconductor film including a plurality of semiconductor
layers overlaid on the substrate, the semiconductor layers having a light
emission layer for emitting a light, wherein the light is picked up at a
first side of the multi-layer semiconductor film, which is a side opposite
to the substrate, wherein a pattern having a light pickup surface is
formed on a light emitting portion of the multi-layer semiconductor film,
the light pickup surface is in a (111) plane or a plane in the vicinity of
the (111) plane, and an unevenness is formed on the light pickup surface.
Приспособление полупроводника светлое испуская показано, которое состоит из субстрата, и разнослоистая пленка сформированная на субстрате, разнослоистая пленка полупроводника полупроводника включая множественность overlaid на субстрате, слоев слоев полупроводника полупроводника имея светлый слой излучения для испускать свет, при котором свет выбран вверх на первой стороне разнослоистой пленки полупроводника, которая будет стороной напротив субстрата, при котором картина имея светлую поверхность чувствительного элемента сформирована на светлой испуская части разнослоистой пленки полупроводника, светлая поверхность чувствительного элемента находится в плоскости плоскость а (111) или в близости (111) плоскости, и невыдержанность сформирована на светлой поверхности чувствительного элемента.
