Diffusion barrier film layers and methods of manufacture and use are
provided. The films comprise boron-doped TiCl.sub.4 -based titanium
nitride, and provide an improved diffusion barrier having good adhesive,
electrical conductivity, and anti-diffusion properties. The films can be
formed on a silicon substrate without an underlying contact layer such as
TiSi.sub.x, an improvement in the fabrication of contacts to shallow
junctions and other miniature components of integrated circuits.
Обеспечены слои пленки барьера диффузии и методы изготовления и пользы. Пленки состоят из бор-dannogo допинг TiCl.sub.4 - основанного titanium нитрида, и обеспечивают улучшенный барьер диффузии имея хороший прилипатель, электрическую проводимость, и свойства анти-diffuzii. Пленки можно сформировать на субстрате кремния без основного слоя контакта such as TiSi.sub.x, улучшение в изготовлении контактов к отмелым соединениям и другие миниатюрные компоненты интегрированных цепей.
