The present invention relates to a simplified reference current generator
for a magnetic random access memory. The reference current generator is
positioned in the vicinity of the memory cells of the magnetic random
access memory, and applies reference elements which are the same as the
magnetic tunnel junctions of the memory cell and bear the same cross
voltages. The plurality of reference elements are used for forming the
reference current generator by using one or several bit lines, and the
voltage which is the same as the voltage of the memory cell is crossly
connected to the reference elements so as to generate a plurality of
current signals; and a peripheral IC circuit is used for generating the
plurality of midpoint reference current signals and judging the data
states. Thanks to the midpoint reference current signals, the
multiple-states memory cell, including the 2-states memory cell, can read
data more accurately.
Die anwesende Erfindung bezieht auf einem vereinfachten Bezugsgegenwärtigen Generator für einen magnetischen RAM. Der Bezugsgegenwärtige Generator wird in die Nähe der Speicherzellen des magnetischen RAMS in Position gebracht und Bezugselemente anwendet, die dieselben wie die magnetischen Tunnelverzweigungen der Speicherzelle sind- und die gleichen Kreuzspannungen tragen. Die Mehrzahl der Bezugselemente werden für die Formung des Bezugsgegenwärtigen Generators verwendet, indem man ein verwendet, oder mehrere bissen Linien und die Spannung, die dieselbe ist, der die Spannung der Speicherzelle Kreuz- an die Bezugselemente angeschlossen wird, um eine Mehrzahl der gegenwärtigen Signale zu erzeugen; und ein Zusatz-IS-Stromkreis wird für das Erzeugen der Mehrzahl der Mittelpunktbezugsgegenwärtigen Signale und das Beurteilen der Datenzustände benutzt. Dank den Mittelpunkt beziehen gegenwärtige Signale, die Mehrfachzustände Speicherzelle, einschließlich die 2-states Speicherzelle, Dose gelesene Daten genauer.
