Optoelectronic device having dual-structural nano dot and method for manufacturing the same

   
   

An optoelectronic device and a method of manufacturing the same which the optoelectronic effect such as light emission or light reception can be increased by forming a dual-structural nano dot to enhance the confinement density of electrons and holes are provided. The optoelectronic device comprises an electron injection layer, a nano dot, and a hole injection layer. The nano dot has a dual structure composed of an external nano dot and an internal dot. The method of manufacturing the optoelectronic device comprises the steps of forming an electron injection layer on a semiconductor substrate; growing nano dot layer on the electron injection layer by an epi-growth method; heating the nano dot layer so that the nano dot has a dual structure composed of an external nano dot and an internal nano dot; and forming a hole injection layer on the overall structure.

Um dispositivo optoelectronic e um método de manufaturar o mesmo que o efeito optoelectronic tal como a recepção clara da emissão ou da luz pode ser aumentado dando forma a um ponto duplo-estrutural do nano para realçar a densidade do confinamento dos elétrons e dos furos são fornecidos. O dispositivo optoelectronic compreende uma camada da injeção do elétron, um ponto do nano, e uma camada da injeção do furo. O ponto do nano tem uma estrutura dupla composta de um ponto externo do nano e de um ponto interno. O método de manufaturar o dispositivo optoelectronic compreende as etapas de dar forma a uma camada da injeção do elétron em uma carcaça do semicondutor; o nano crescente pontilha a camada na camada da injeção do elétron por um método do epi-crescimento; aquecendo o nano pontilhe a camada de modo que o ponto do nano tenha uma estrutura dupla composta de um ponto externo do nano e de um ponto interno do nano; e dando forma a uma camada da injeção do furo na estrutura total.

 
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