A tunnel magnetic resistive element forming a magnetic memory cell includes
a fixed magnetic layer having a fixed magnetic field of a fixed direction,
a free magnetic layer magnetized by an applied magnetic field, and a
tunnel barrier that is an insulator film provided between the fixed and
free magnetic layers in a tunnel junction region. In the free magnetic
layer, a region corresponding to an easy axis region having
characteristics desirable as a memory cell is used as the tunnel junction
region. A hard axis region having characteristics undesirable as a memory
cell is not used as a portion of the tunnel magnetic resistive element.
Элемент тоннеля магнитный сопротивляющий формируя магнитный ячейкы памяти вклюает фикчированный магнитный слой имея фикчированное магнитное поле фикчированного направления, свободно магнитный слой намагниченный applied магнитным полем, и барьер тоннеля который будет пленка изолятора обеспеченная между фикчированными и свободно магнитными слоями в зоне соединения тоннеля. В свободно магнитном слое, зона соответствуя к легкой зоне оси имея характеристики желательные как ячейкы памяти использована как зона соединения тоннеля. Трудная зона оси имея характеристики нежелательные как ячейкы памяти не использована как часть элемента тоннеля магнитного сопротивляющего.
