In a method of forming a ferroelectric film according to the present
invention, pulsed laser light or pulsed lamp light is applied to an
amorphous oxide film formed over a substrate to form microcrystalline
nuclei of oxide in the film. Crystallization of the oxide is performed by
applying pulsed laser light or pulsed lamp light to the film including the
microcrystalline nuclei to form the ferroelectric film.
In een methode om een ferroelectric film volgens de onderhavige uitvinding te vormen, wordt het gepulseerde licht van de laser lichte of gepulseerde lamp toegepast op een amorfe oxydefilm die over een substraat wordt gevormd microcrystalline kernen van oxyde in de film te vormen. De kristallisatie van het oxyde wordt uitgevoerd door het gepulseerde licht van de laser lichte of gepulseerde lamp op de film met inbegrip van de microcrystalline kernen toe te passen om de ferroelectric film te vormen.
