Semiconductor device

   
   

A circuit with a large load driving capability, which is structured by single polarity TFTs, is provided. With a capacitor (154) formed between a gate electrode and an output electrode of a TFT (152), the electric potential of the gate electrode of the TFT (152) is increased by a boot strap and normal output with respect to an input signal is obtained without amplitude attenuation of an output signal due to the TFT threshold value. In addition, a capacitor (155) formed between a gate electrode and an output electrode of a TFT (153) compensates for increasing the electric potential of the gate electrode of the TFT (152), and a larger load driving capability is obtained.

Ein Stromkreis mit große Last Treibereigenschaften, die durch einzelne Polarität TFTs strukturiert wird, wird zur Verfügung gestellt. Wenn ein Kondensator (154), zwischen einer Gate-Elektrode und einer Ausgang Elektrode gebildet ist, eines TFT (152), wird das elektrische Potential der Gate-Elektrode des TFT (152) durch einen Aufladung Bügel und normalen einen Ausgang in Bezug auf ein Eingangssignal wird erreicht ohne Umfang Verminderung eines Ausgangssignals wegen des TFT Schwellenwertes erhöht. Zusätzlich entschädigt ein Kondensator (155) gebildet zwischen einer Gate-Elektrode und einer Ausgang Elektrode eines TFT (153) die Erhöhung des elektrischen Potentials der Gate-Elektrode des TFT (152) und größere Last Treibereigenschaften wird erreicht.

 
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