Barrier stack with improved barrier properties

   
   

An barrier stack for inhibiting diffusion of atoms or molecules, such as O.sub.2 is disclosed. The barrier slack includes first and second barrier layers formed from, for example, Ir, Ru, Pd, Rh, or alloys thereof. The first barrier layer is passivated with O.sub.2 using, for example, a rapid thermal oxidation (RTO) prior to formation of the second barrier layer. The RTO forms a thin oxide layer on the surface of the first barrier layer. The thin oxide layer passivates the grain boundaries of the first barrier layer as well as promoting mismatching of the grain boundaries of the first and second barrier layer.

Показан стог барьера для блокируя диффузии атомов или молекул, such as O.sub.2. Слабина барьера вклюает сперва и вторые слои барьера сформированные от, например, иКой, ru, палладиума, rh, или сплавов thereof. Первый слой барьера запассивирован с O.sub.2 использующ, например, быстро термально оксидацию (RTO) до образования второго слоя барьера. RTO формирует тонкий слой окиси на поверхности первого слоя барьера. Тонкий слой окиси пассивирует границы зерна первого слоя барьера также,как повышать рассогласовывать границ зерна первого и второго слоя барьера.

 
Web www.patentalert.com

< Method of preparing a semiconductor having controlled crystal orientation

< LCD panel

> Optical semiconductor housing and method for making same

> Semiconductor component with integrated circuit, cooling body, and temperature sensor

~ 00130