A magnetic tunnel junction sensor is provided having a laminated free layer
comprising a first sublayer formed of Co--Fe in contact with a spacer
layer and a second sublayer formed of Ni--Fe--Mo. The Ni--Fe--Mo material
of the second sublayer has a magnetocrystalline anisotropy constant, k,
that is much smaller than that of Ni--Fe. Due to the small value of k of
the Ni--Fe--Mo material used to fabricate the second sublayer of the free
layer, the thickness of the Co--Fe first sublayer may be increased to
improve manufacturability while retaining a low net stiffness of the free
layer for high sensitivity of the MTJ sensor in response to signal fields
from data magnetically recorded on a disk. The thicker Co--Fe first
sublayer results in a higher magnetoresistance coefficient of the improved
MTJ sensor.
Ein magnetischer Tunnelverzweigung Sensor wird zur Verfügung gestellt, eine lamellierte freie Schicht habend, eine erste Teilschicht, die von Co -- gebildet wird F.E. zu enthalten in Verbindung mit einer Distanzscheibe Schicht und einer zweiten Teilschicht gebildet von Ni -- F.E. -- MO. Das Ni -- F.E. -- MO Material der zweiten Teilschicht hat eine magnetocrystalline Anisotrophiekonstante, k, das viel kleiner als das von Ni -- F.E. ist. Wegen des kleinen Wertes von k des Ni -- F.E. -- MO Material verwendete, die zweite Teilschicht der freien Schicht, die Stärke zu fabrizieren der Co -- F.E. erster Teilschicht kann erhöht werden, um manufacturability, während das Behalten einer niedrigen Nettosteifheit der freien Schicht für hohe Empfindlichkeit des MTJ Sensors in Erwiderung auf Signal zu verbessern von den Daten auffängt, die magnetisch auf einer Scheibe notiert werden. Die stärkere Co -- F.E. erster Teilschicht ergibt einen höheren Magnetwiderstand Koeffizienten des verbesserten MTJ Sensors.
