A method of forming a via in an integrated circuit is provided. The method
includes forming a stack including a first layer, a hard mask layer, and
at least one intermediate layer disposed between the first layer and the
hard mask layer. The first layer comprises a first metal line. The method
further includes forming a channel in the hard mask layer. The channel has
a first side and a second side opposite the first side. The method further
includes forming a resist layer having an opening extending over both the
first and second sides of the channel. The method further includes forming
a metal line trench and a via opening aligned with the first and second
sides of the channel. The method further includes filling the filling the
metal line trench and the via opening with a conductive material to create
a second metal line and a via connecting the second metal line with the
first metal line.
Μια μέθοδος το α μέσω σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα παρέχεται. Η μέθοδος περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός σωρού συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου στρώματος, ενός σκληρού στρώματος μασκών, και τουλάχιστον ενός ενδιάμεσου στρώματος που διατίθεται μεταξύ του πρώτου στρώματος και του σκληρού στρώματος μασκών. Το πρώτο στρώμα περιλαμβάνει μια πρώτη γραμμή μετάλλων. Η μέθοδος περιλαμβάνει περαιτέρω τη διαμόρφωση ενός καναλιού στο σκληρό στρώμα μασκών. Το κανάλι έχει μια πρώτη πλευρά και μια δεύτερη πλευρά απέναντι από την πρώτη πλευρά. Η μέθοδος περιλαμβάνει περαιτέρω τη διαμόρφωση αντιστέκεται στο στρώμα που έχει ένα άνοιγμα εκτεινόμενος και πέρα από τις πρώτες και δεύτερες πλευρές του καναλιού. Η μέθοδος περιλαμβάνει περαιτέρω τη διαμόρφωση μιας τάφρου γραμμών μετάλλων και ενός α μέσω του ανοίγματος που ευθυγραμμίζεται με τις πρώτες και δεύτερες πλευρές του καναλιού. Η μέθοδος περιλαμβάνει περαιτέρω την πλήρωση της πλήρωσης η τάφρος γραμμών μετάλλων και μέσω του ανοίγματος με ένα αγώγιμο υλικό για να δημιουργήσει μια δεύτερα γραμμή μετάλλων και ένα α μέσω της σύνδεσης της δεύτερης γραμμής μετάλλων με την πρώτη γραμμή μετάλλων.
