Leadless chip carrier for reduced thermal resistance

   
   

According to one embodiment, a semiconductor die is situated in a cutout section of a substrate. In one embodiment, the substrate is situated on a printed circuit board such that the semiconductor die situated in the cutout section of the substrate is also situated on a support pad on the top surface of the printed circuit board. In one embodiment, a semiconductor die bond pad on the semiconductor die is connected to a substrate bond pad on the substrate. In one embodiment, an interconnect trace on the substrate is connected to an interconnect pad on the top surface of the printed circuit board.

Согласно одному воплощению, плашка полупроводника расположена в раздел выреза субстрата. В одно воплощение, субстрат расположен на доску печатной схеми такие что плашка полупроводника расположенная в раздел выреза субстрата также расположена на пусковую площадку поддержки на верхней поверхности доски печатной схеми. В одном воплощении, пусковая площадка плашки полупроводника bond на плашке полупроводника соединена к пусковой площадке субстрата bond на субстрате. В одном воплощении, след interconnect на субстрате соединен к пусковой площадке interconnect на верхней поверхности доски печатной схеми.

 
Web www.patentalert.com

< ESD parasitic bipolar transistors with high resistivity regions in the collector

< High permeability composite films to reduce noise in high speed interconnects

> Semiconductor die package with increased thermal conduction

> Pad metallization over active circuitry

~ 00130