Metal bond pads are formed over active circuitry in a semiconductor chip in
a reliable and cost effective manner. According to an example embodiment
of the present invention, a metal bond pad is formed over circuitry in the
semiconductor chip. A metal layer is formed over the circuitry and the
metal bond pad, and a diffusion barrier layer is formed between the metal
layer and the metal bond pad. In this manner, additional metal can be
formed on the pad site using only one additional mask step, and thicker
metal at the pad site improves the reliability of the chip by providing
for a metal cushion at the pad useful in subsequent wire bonding
processes.
I rilievi schiavi del metallo sono formati sopra circuiti attivi in un circuito integrato a semiconduttore in un modo certo e redditizio. Secondo un metodo di realizzazione di esempio di presente invenzione, un rilievo schiavo del metallo è formato sopra circuiti nel circuito integrato a semiconduttore. Uno strato del metallo è formato sopra i circuiti ed il rilievo schiavo del metallo e uno strato della barriera di diffusione è formato fra lo strato del metallo ed il rilievo schiavo del metallo. In questo modo, il metallo supplementare può essere formato sul luogo del rilievo usando soltanto un punto supplementare della mascherina ed il metallo più spesso al luogo del rilievo migliora l'affidabilità del circuito integrato provvedendo ad un ammortizzatore del metallo al rilievo utile nei processi successivi di bonding del legare.
