Wire stitch bond on an integrated circuit bond pad and method of making the same

   
   

A microelectronic assembly, and method of making the same, including a wire stitch bonded on an electroplated gold bump or electroless nickel/gold bump on a bond pad of an integrated circuit chip. The electroplated gold bump or electroless nickel/gold bump provides a relatively flat upper surface which is excellent for making a wire stitch bond thereto. The microelectronic assembly may include a multiple integrated circuit chip stack attached to a substrate such as a ball grid array. The electroplated gold bumps or electroless nickel/gold bumps may be formed on all of the integrated circuit chips and wire stitch bonds formed on the electroplated gold bumps or electroless nickel/gold bumps thereby connecting the integrated circuit chips to each other or to an underlying ball grid array.

Eine Mikroelektronische Versammlung und Produktionsmethode dasselbe, einschließlich eine Leitung Heftung abgebunden auf einem galvanisierten Goldstoß oder electroless nickel/gold Stoß auf einer Bondauflage eines Schaltungspanes. Der galvanisierte Goldstoß oder der electroless nickel/gold Stoß liefert eine verhältnismäßig flache Oberfläche, die für eine Leitung Heftung Bindung dazu bilden ausgezeichnet ist. Die Mikroelektronische Versammlung kann einen mehrfachen Schaltungspanstapel mit einschließen, der zu einem Substrat wie einer Kugelrasterfeldreihe angebracht wird. Die galvanisierten Goldstösse oder die electroless nickel/gold Stösse können auf allen Schaltungspäne gebildet werden und die Leitung Heftung Bindungen, die auf den galvanisierten Goldstössen oder dem electroless nickel/gold gebildet werden, stößt die Schaltungspäne eine zugrundeliegende Kugelrasterfeldreihe dadurch miteinander oder an anschließen.

 
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