Semiconductor optical component and a method of fabricating it

   
   

A semiconductor optical component is disclosed which comprises a current injection region and at least one electrically isolated region referred to as a first plateau, each region containing a contact layer of an alloy based on gallium arsenide, GaAs, deposited on a semiconductor material upper confinement layer. The component further comprises in the first plateau a dielectric material isolation layer on top of the contact layer. An attachment layer is disposed between the contact layer and the isolation layer to increase the adhesion of the isolation layer to the contact layer. A method of fabricating the above kind of component is also disclosed.

Показан компонент полупроводника оптически состоит из в настоящее время зоны впрыски и по крайней мере одной электрически изолированной зоны названных первое плато, каждая зона содержа слой сплава основанного на арсениде галлия, gaAs контакта, депозированный на слое удерживания полупроводника материальном верхнем. Компонент более дальнейший состоит из в первом плате слой изоляции диэлектрика материальный on top of слой контакта. Слой приложения размещан между слоем контакта и слоем изоляции для того чтобы увеличить прилипание слоя изоляции к слою контакта. Метод изготовлять вышеуказанный вид компонента также показан.

 
Web www.patentalert.com

< Electromagnetic interference immune tissue invasive system

< Electrophoretic display and novel process for its manufacture

> Magnetic coupling antennas for implantable medical devices

> Method and system for automated software control of waterjet orientation parameters

~ 00130