A statistical method is described for reliability selection of dies on
semiconductor wafers using critical wafer yield parameters. This is
combined with other data from the wafer or module level reliability
screens (such as voltage screen or burn-in) to obtain the relative latent
defect density. Finally the modeled results are compared with actual
results to demonstrate confidence in the model.
Un método estadístico se describe para la selección de la confiabilidad de dados en las obleas de semiconductor usando parámetros críticos de la producción de la oblea. Esto se combina con otros datos de las pantallas llanas de la confiabilidad de la oblea o del módulo (tales como pantalla o marcar a fuego del voltaje) para obtener la densidad relativa del defecto latente. Finalmente los resultados modelados se comparan con resultados reales para demostrar confianza en el modelo.
