A method of reducing electronic work function, reducing threshold field
emission values, converting semiconducting behavior to metallic behavior,
increasing the electron density state at the Fermi level, and increasing
electron emission site density, of nanostructure or nanotube-containing
material, the method including: forming openings in the
nanotube-containing material; introducing a foreign species such as an
alkali metal into at least some of the openings; and closing the openings,
thereby forming capsules filled with the foreign species, and forming
field emission cathode and flat panel displays using these capsules.
Un método de reducir la función electrónica del trabajo, reduciendo los valores de la emisión del campo del umbral, comportamiento semiconductor que convierte al comportamiento metálico, aumento del estado de la densidad del electrón en el nivel de Fermi, y aumento de densidad del sitio de la emisión del electrón, del nanostructure o nanotube-conteniendo el material, el método incluyendo: formación de aberturas en el material nanotube-que contiene; introducir una especie extranjera tal como un metal alcalino en por lo menos algunas de las aberturas; y cerrando las aberturas, de tal modo formando las cápsulas llenadas de la especie extranjera, y formando exhibiciones del cátodo de la emisión del campo y de panel plano usando estas cápsulas.
