Elevated source drain disposable spacer CMOS

   
   

In one embodiment of the invention, source and drain regions are formed as well as source and drain contact regions. Thereafter source and drain extension regions are formed. In another embodiment, elevated source and drain regions are formed as well as source and drain extension regions. Thereafter source and drain contact regions are formed at a temperature up to about 600.degree. C. and an annealing time of up to about one minute.

Σε μια ενσωμάτωση της εφεύρεσης, οι περιοχές πηγής και αγωγών διαμορφώνονται καθώς επίσης και περιοχές επαφών πηγής και αγωγών. Έκτοτε οι περιοχές επέκτασης πηγής και αγωγών διαμορφώνονται. Σε μια άλλη ενσωμάτωση, οι ανυψωμένες περιοχές πηγής και αγωγών διαμορφώνονται καθώς επίσης και περιοχές επέκτασης πηγής και αγωγών. Έκτοτε οι περιοχές επαφών πηγής και αγωγών διαμορφώνονται σε μια θερμοκρασία μέχρι για 600.degree. Γ. και έναν ανοπτώντας χρόνο μέχρι περίπου ενός λεπτού.

 
Web www.patentalert.com

< Fluorine-containing layers for damascene structures

< Low temperature polycrystalline silicon type thin film transistor and a method of the thin film transistor fabrication

> Nitride pedestal for raised extrinsic base HBT process

> Planarization using plasma oxidized amorphous silicon

~ 00129