A method of fabricating a high-performance, raised extrinsic base HBT
having a narrow emitter width is provided. In accordance with the method,
a patterned nitride pedestal region and inner spacers are employed to
reduce the width of an emitter opening. The reduced width is achieved
without the need of using advanced lithographic tools and/or advanced
photomasks.
Eine Methode des Fabrizierens einer leistungsstarken, angehobenen äußeren Unterseite HBT, die eine schmale Emitterbreite hat, wird zur Verfügung gestellt. In Übereinstimmung mit der Methode werden eine patterned Nitriduntersatzregion und innere Distanzscheiben eingesetzt, um die Breite einer Emitteröffnung zu verringern. Die verringerte Breite wird ohne die Notwendigkeit des Verwendens der vorgerückten lithographischen Werkzeuge und/oder der vorgerückten Photomasken erzielt.
