A system is disclosed for evaluating nitrogen levels in thin gate
dielectric layers formed on semiconductor samples. In one embodiment, a
tool is disclosed which includes both a narrow band ellipsometer and a
broadband spectrometer for measuring the sample. The narrowband
ellipsometer provides very accurate information about the thickness of the
thin film layer while the broadband spectrometer contains information
about the nitrogen levels. In another aspect of the subject invention, a
thermal and/or plasma wave detection system is used to provide information
about the nitrogen levels and nitration processes.
Um sistema é divulgado para níveis de avaliação do nitrogênio nas camadas dieléctricas da porta fina dadas forma em amostras do semicondutor. Em uma incorporação, uma ferramenta é divulgada que inclua um ellipsometer estreito da faixa e um spectrometer broadband para medir a amostra. O ellipsometer narrowband fornece a informação muito exata sobre a espessura da camada da película fina quando o spectrometer broadband contiver a informação sobre os níveis do nitrogênio. Em um outro aspecto da invenção sujeita, um thermal e/ou um sistema da deteção da onda do plasma são usados fornecer a informação sobre os níveis do nitrogênio e os processos do nitration.
