In a non-volatile semiconductor memory device and a fabrication method
thereof, a charge storage layer is formed on a substrate. A control gate
layer is formed on the charge storage layer. A gate mask having a
spacer-shape is formed on the control gate layer. The charge storage layer
and the control gate layer are removed using the gate mask as protection
to form a control gate and a charge storage region.
Σε μια αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών και μια μέθοδο επεξεργασίας επ' αυτού, ένα στρώμα αποθήκευσης δαπανών διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα. Ένα στρώμα πυλών ελέγχου διαμορφώνεται στο στρώμα αποθήκευσης δαπανών. Μια μάσκα πυλών που έχει μια πλήκτρο διαστήματος-μορφή διαμορφώνεται στο στρώμα πυλών ελέγχου. Το στρώμα αποθήκευσης δαπανών και το στρώμα πυλών ελέγχου αφαιρούνται χρησιμοποιώντας τη μάσκα πυλών ως προστασία για να διαμορφώσουν μια πύλη ελέγχου και μια περιοχή αποθήκευσης δαπανών.
