A high-voltage MOS transistor wherein a dopant concentration of a source
offset region is set lower than a dopant concentration of a drain offset
region whereby a resistance value of the resource region is set
independently of a resistance value of the drain region in such a manner
as to maintain a high sustaining breakdown voltage of the high-voltage MOS
transistor, which is based on a voltage of the source offset region and a
voltage of a substrate region directly under a gate insulating film during
operation of the high-voltage MOS transistor.
Een MOS transistor met hoog voltage waarin een additiefconcentratie van een bron gebied compenseerde wordt geplaatst lager dan een additiefconcentratie van een gebied van de afvoerkanaalcompensatie waardoor een weerstandswaarde van het middelgebied onafhankelijk van een weerstandswaarde van het afvoerkanaalgebied op een dergelijke manier wordt geplaatst om een hoog het ondersteunen analysevoltage van de MOS transistor te handhaven met hoog voltage, die op een voltage van het broncompensatiegebied en een voltage van een substraatgebied direct onder een poort isolerende film tijdens verrichting van de MOS transistor met hoog voltage gebaseerd is.
