A semiconductor device comprises at least a semiconductor layer including
source and drain areas of a first conductive type and of a high impurity
concentration and a channel area positioned between the source and drain
areas, an insulation layer covering at least the channel area, and a gate
electrode positioned close to the insulation layer. The channel area at
least comprises a first channel area of a low resistance, positioned close
to the insulation layer and having a second conductive type opposite to
the first conductive type, and a second channel area of a high resistance,
having the first conductive type and positioned adjacent to the first
channel area.
Прибора на полупроводниках состоит из по крайней мере слоя полупроводника включая зоны источника и стока первого проводного типа и высокой концентрации примеси и зоны канала расположенных между источником и зонами стока, заволакивания слоя изоляции по крайней мере зона канала, и электрода строба расположенного close to слой изоляции. Зона канала по крайней мере состоит из первой зоны канала низкого сопротивления, расположенной close to слой изоляции и иметь второй проводной тип напротив первого проводного типа, и второй зоны канала высокого сопротивления, имеющ первый проводной тип и расположенной за первой зоной канала.
