A LED of flip-chip design comprises a light emitting region and one or more
transparent substrates overlying the light emitting region. The light
emitting region includes a negatively doped layer, a positively doped
layer, and an active p-n junction layer between the negatively doped layer
and the positively doped layer. At least one of the substrates has a
pyramidal shape determined by (1) the composition of electrically
conductive or electrically non-conductive material, (2) the number of side
surfaces, (3) the degree of offset of an apex or top surface, and (4) the
slope angle of each side surface relative to a bottom surface.
Um diodo emissor de luz do projeto da lanç-microplaqueta compreende uma região e um um ou mais emitindo-se claro carcaças transparentes que overlying a região emitindo-se clara. A região emitindo-se clara inclui uma camada negativamente doped, uma camada positivamente doped, e uma camada ativa da junção do p-n entre a camada negativamente doped e a camada positivamente doped. Ao menos uma das carcaças tem uma forma pyramidal determinada (1) pela composição eletricamente do material condutor ou eletricamente non-conductive, (2) o número de superfícies laterais, (3) o grau de offset de um apex ou de uma superfície superior, e (4) o ângulo da inclinação de cada superfície lateral relativo a uma superfície inferior.
