A method for sensing the resistance value of a resistor-based memory cell.
A current is driven through all unused row lines of a memory array while
grounding the row line associated with the selected cell, thereby forcing
the current through a comparatively low equivalent resistance formed by
the parallel coupling of all unselected memory cells and also through a
comparatively high resistance of the selected memory cell. The voltage on
a column line corresponding to the selected memory cell is then measured
to ground. The voltage level corresponds to either one of two resistance
values (i.e., signifying either a logic "HIGH" or a logic "LOW").
Un metodo per il rilevamento del valore di resistenza di una cellula di memoria resistore-basata. Una corrente è guidata attraverso tutte le linee inutilizzate di fila di un allineamento di memoria mentre collegavano la linea a massa di fila si è associato con la cellula selezionata, quindi forzante la corrente con una resistenza equivalente comparativamente bassa costituita dall'accoppiamento parallelo di tutte le cellule di memoria non selezionate ed anche con una resistenza comparativamente alta della cellula di memoria selezionata. La tensione su una linea di colonna che corrisponde alla cellula di memoria selezionata allora è misurata per macinare. Il livello di tensione corrisponde ad uno uno di due valori di resistenza (cioè, indicando una logica "ALTA" o una logica "BASSA").
