A solid state device comprises a solid state material substrate; two
adjacent semiconductor pockets on the substrate; and a gate layer less
than 10 Angstroms thick. The gate layer has at least an atomically smooth
bottom major surface, and is perfectly bonded onto the substrate to bridge
a gap between the two semiconductor pockets.
Een apparaat in vaste toestand bestaat uit een materieel substraat in vaste toestand; twee aangrenzende halfgeleiderzakken op het substraat; en een poortlaag minder dan 10 Angstroms dik. De poortlaag heeft minstens een atomically vlotte bodem belangrijke oppervlakte, en op het substraat volkomen gehad om een hiaat tussen de twee halfgeleiderzakken te overbruggen.
