A pixel unit 1 comprises a nonvolatile memory transistor MT, which is
formed on a p-type well 12 of a semiconductor substrate 10 and which has a
floating gate 14 and a control gate 16, and selecting gate transistors ST1
and ST2 which share a diffusion layer 17 with the memory transistor MT and
which is formed on both sides of the memory transistor MT. The memory
transistor MT has a photoelectric converting region PD in the substrate
directly below the floating gate 14. By irradiating the memory transistor
MT with light while a positive writing voltage is applied to the control
gate 16, charges generated in the photoelectric converting region PD are
injected into the floating gate 14 to be held therein, so that pixel
information is stored as a threshold voltage. Thus, it is possible to
provide a solid-state imaging device with memory function, which has a
small unit pixel area, a small electric current consumption and a simple
structure and which can be produced without the need of any complicated
producing processes.
Блок 1 пиксела состоит из M T транзистора слаболетучей памяти, которое сформированы на добре 12 п-tipa субстрата 10 полупроводника и которое имеет плавая строб 14 и строб 16 управления, и выбирать транзисторы ST1 и ST2 строба которое делят слой 17 диффузии с M T транзистора памяти и которое сформировано на обеих сторонах M T транзистора памяти. M T транзистора памяти имеет светоэлектрический преобразовывая палладиум зоны в субстрате сразу под плавая стробом 14. Путем облучать M T транзистора памяти с светом пока положительное напряжение тока в писменном виде приложено к стробу 16 управления, обязанности произведенные в светоэлектрическом преобразовывая палладиуме зоны впрыснуты в плавая строб 14, котор нужно держать в этом, так, что данные по пиксела будут храниться как напряжение тока порога. Таким образом, по возможности обеспечить полупроводниковое приспособление воображения с функцией памяти, которая имеют малую зону пиксела блока, малый электрический текущееа потребление и просто структуру и которая можно произвести без потребности любых осложненных производя процессов.
