To shorten the time of a test for detecting deteriorated capacitors, a
semiconductor memory device having a 2T2C type memory cell structure is
designed in such a way that a voltage VBL of a bit line pair which
determines a voltage to be applied to ferroelectric memory cells and a
voltage VPL of plate lines are so set as to satisfy a relationship of
VBL=VPL
Um die Zeit eines Tests für das Ermitteln der verschlechterten Kondensatoren zu verkürzen, ist eine Halbleiterspeichervorrichtung, die eine 2T2C Art Speicherzelle Struktur hat so daß eine Spannung VBL einer Spitze Linie Paar entworfen die eine feststellt an den ferroelectric Speicherzellen zugetroffen zu werden Spannung und eine Spannung VPL der Platte Linien sind also erfüllen Satz hinsichtlich ein Verhältnis von VBL=VPL
