A method for creating semiconductor devices is provided. A photoresist
layer is provided on a wafer. The photoresist layer is patterned. Polymers
in the patterned photoresist layer are chemically cross-linked by exposure
to at least one reactive chemical. The pattern in the photoresist layer is
transferred to the wafer. A reaction chamber for processing a wafer with a
patterned layer of photoresist material, wherein the photoresist material
was patterned by exposing the photoresist material using light of a
wavelength less than 248 nm is provided. A chamber is provided with a
central cavity. A wafer support for supporting the wafer in the central
cavity is provided. A cross-linking reactive chemical source in fluid
contact with the chamber and which provides a reactive chemical which
causes cross-linking of the photoresist is provided.
Метод для создавать прибора на полупроводниках обеспечен. Слой фоторезиста обеспечен на вафле. Слой фоторезиста сделан по образцу. Полимеры в сделанном по образцу слое фоторезиста химически cross-linked подвержением до по крайней мере один реактивный химикат. Картина в слое фоторезиста перенесена к вафле. Обеспечена камера реакции для обрабатывать вафлю с сделанным по образцу слоем материала фоторезиста, при котором материал фоторезиста был сделан по образцу путем подвергать действию материал фоторезиста использующ свет длины волны более менее чем 248 nm. Камера обеспечена с центральной полостью. Обеспечена поддержка вафли для поддерживать вафлю в центральной полости. Обеспечен источник cross-linking реактивный химически в жидком контакте с камерой и обеспечивает реактивный химикат причиняет cross-linking фоторезиста.
