A method for manufacturing an electronic device is provided. In one example
of the method, the method prevents deformation of a resist mask caused by
the irradiation of exposure light. The resist mask has a resist as an
opaque element, and can afford mask patterns undergoing little change even
with an increase in the number of wafers subjected to exposure processing.
The resist mask maintains a high dimensional accuracy. A photomask pattern
is formed using as an opaque element a resist comprising a base resin and
Si incorporated therein or a resist with a metal such as Si incorporated
thereby by a silylation process, to improve the resistance to active
oxygen. The deformation of a resist opaque pattern in a photomask is
prevented. The dimensional accuracy of patterns transferred onto a Si
wafer is improved in repeated use of the photomask.
Un método para fabricar un dispositivo electrónico se proporciona. En un ejemplo del método, el método previene la deformación de una máscara del resistir causada por la irradiación de la luz de la exposición. La máscara del resistir tiene un resistir como elemento opaco, y puede permitirse los patrones de máscara que experimentan pequeño cambio incluso con un aumento en el número de las obleas sujetadas al proceso de la exposición. La máscara del resistir mantiene una alta exactitud dimensional. Un patrón del photomask es el usar formado como un elemento opaco un resistir que abarcaba una resina y un silicio bajos incorporados en esto o un resistir con un metal tal como silicio incorporó de tal modo por un proceso del silylation, mejorar la resistencia al oxígeno activo. La deformación de un patrón opaco del resistir en un photomask se previene. La exactitud dimensional de los patrones transferidos sobre una oblea de silicio se mejora en el uso repetido del photomask.
