A metal processing method is provided for growing a polycrystalline film by
preferably chemical vapor deposition (CVD) from a suitable precursor gas
or gases on a substrate which has been coated with seeds, preferably of
nanocrystal size, of the metal material. The nanocrystal seeds serve as a
template for the structure of the final polycrystalline film. The density
of the seeds and the thickness of the grown polycrystalline film determine
the grain size of the polycrystalline film at the surface of said film.
CVD onto the seeds to produce the polycrystalline film avoids the
recrystallization step generally necessary for the formation of a
polycrystalline film, and thus allows for the growth of polycrystalline
films at reduced temperatures.
Une méthode de transformation en métal est donnée pour accroître un film polycristallin par la déposition en phase vapeur de préférence (CVD) d'un gaz ou des gaz appropriés de précurseur sur un substrat qui a été enduit des graines, de préférence de taille nanocrystal, du matériel en métal. Les graines nanocrystal servent de calibre à la structure du film polycristallin final. La densité des graines et l'épaisseur du film polycristallin développé déterminent la taille de grain du film polycristallin sur la surface de ledit film. La CVD sur les graines pour produire le film polycristallin évite l'étape de recristallisation généralement nécessaire pour la formation d'un film polycristallin, et tient compte ainsi de la croissance des films polycristallins aux températures réduites.
