A method for forming a semiconductor device that includes a line and space
pattern with variable pitch and critical dimensions in a layer on a
substrate. The substrate includes a first region (e.g., a core region) and
a second region (e.g., a periphery region). A first sub-line and space
pattern in the first region comprises a space of a dimension (A) less than
achievable by lithographic processes alone. Further, a second sub-line and
space pattern in the second region comprises at least one line including a
second critical dimension (B) achievable by lithography. The method uses
two critical masking steps to form a hard mask that includes in the core
region a critical dimension (A) less than achievable at a resolution limit
of lithography. Further, the method uses a single etch step to transfer
the pattern of the hard mask to the layer.
Um método para dar forma a um dispositivo de semicondutor que inclua uma linha e um teste padrão do espaço com passo variável e umas dimensões críticas em uma camada em uma carcaça. A carcaça inclui uma primeira região (por exemplo, uma região do núcleo) e uma segunda região (por exemplo, uma região da periferia). Uma primeiros secundário-linha e teste padrão do espaço na primeira região compreendem um espaço de uma dimensão (A) mais menos do que achievable por processos lithographic sozinho. Mais mais, uma segundos secundário-linha e teste padrão do espaço na segunda região compreendem ao menos uma linha including uma segunda dimensão crítica (B) achievable pelo lithography. O método usa duas etapas mascarando críticas dar forma a uma máscara dura que inclua na região do núcleo uma dimensão crítica (A) menos do que achievable em um limite da definição do lithography. Mais mais, o método usa uma única etapa gravura em àgua forte transferir o teste padrão da máscara dura à camada.
