It is an object to obtain a semiconductor device capable of minimizing an
increase in a gate capacity without adversely influencing an operation
characteristic and a method of manufacturing the semiconductor device. A
first trench (7) and a second trench (11) are formed to reach an upper
layer portion of an N.sup.- layer (3) through a P base layer (5) and an N
layer (4), respectively. In this case, a predetermined number of second
trenches (11) are formed between the first trenches (7) and (7). The first
trench (7) is provided adjacently to an N.sup.+ emitter region (6) and has
a gate electrode (9) formed therein. The second trench (11) has a
polysilicon region (15) formed therein. The second trench (11) is
different from the first trench (7) in that the N.sup.+ emitter region (6)
is not formed in a vicinal region and the gate electrode (9) is not formed
therein. A trench space between the first trench (7) and the second trench
(11) which are provided adjacently to each other is set to be such a
distance as not to reduce a breakdown voltage. An emitter electrode (12)
is directly formed on an almost whole surface of a base region (5).
Het is een voorwerp om een halfgeleiderapparaat te verkrijgen geschikt om een verhoging van een poortcapaciteit te minimaliseren zonder een verrichtingskenmerk en een methode ongunstig te beïnvloeden om het halfgeleiderapparaat te vervaardigen. Een eerste geul (7) en een tweede geul (11) worden gevormd om een hoger laaggedeelte van een N.sup. - laag (3) door een de basislaag van P (5) te bereiken en een laag van N (4), respectievelijk. In dit geval, wordt een vooraf bepaald aantal tweede geulen (11) gevormd tussen eerste geulen (7) en (7). Eerste geul (7) wordt verstrekt adjacently aan N.sup. + zendergebied (6) en heeft een daarin gevormde poortelektrode (9). Tweede geul (11) heeft een polysilicon daarin gevormd gebied (15). Tweede geul (11) is verschillend van eerste geul (7) in die zin dat N.sup. + zendergebied (6) niet in een vicinal gebied wordt gevormd en poortelektrode (9) niet daarin wordt gevormd. Een geulruimte tussen eerste geul (7) en tweede geul (11) die adjacently aan elkaar worden verstrekt wordt geplaatst om een dergelijke afstand te zijn zoals niet om een analysevoltage te verminderen. Een zenderelektrode (12) wordt direct gevormd op een bijna gehele oppervlakte van een basisgebied (5).
