A trench DMOS transistor cell is provided that includes a substrate of a
first conductivity type and a body region located on the substrate, which
has a second conductivity type. At least one trench extends through the
body region and the substrate. An insulating layer lines the trench and a
conductive electrode is placed in the trench overlying the insulating
layer. A source region of the first conductivity type is located in the
body region adjacent to the trench. The trench has sidewalls that define a
polygon in the plane of the substrate so that adjacent sidewalls contact
one another at an angle greater than 90 degrees.
Eine Transistorzelle des Grabens DMOS ist, vorausgesetzt daß ein Substrat einer ersten Leitfähigkeitart und der Körperregion miteinschließt, die auf dem Substrat gelegen sind, das eine zweite Leitfähigkeitart hat. Mindestens verlängert ein Graben durch die Körperregion und das Substrat. Eine Isolierschicht zeichnet den Graben und eine leitende Elektrode wird in den Graben gelegt, der die Isolierschicht überlagert. Eine Quellregion der ersten Leitfähigkeitart ist in der Körperregion neben dem Graben. Der Graben hat Seitenwände, die ein Polygon in der Fläche des Substrates definieren, damit angrenzende Seitenwände mit einem anderem schräg grösser als 90 Grad in Verbindung treten.
