Nonvolatile ferroelectric memory control device

   
   

The disclosed nonvolatile ferroelectric memory control device is configured to control an internal memory dump when a ferroelectric memory is used as an internal memory in a SOC (system on a chip) structure. In order to normally process internal memory data in normal and dump modes, dump mode control circuits comprise FRAM code cells, and external memory regions are allotted to internal memory regions so that all internal addresses may use ports normally. As a result, operation characteristics can be changed in the SOC structure by using a software way.

O dispositivo ferroelectric permanente divulgado do controle da memória está configurarado para controlar um dump de memória interno quando uma memória ferroelectric está usada enquanto uma memória interna em uma estrutura do SOC (sistema em uma microplaqueta). A fim processar normalmente dados internos da memória em modalidades do normal e do dump, os circuitos de controle da modalidade do dump compreendem pilhas do código de FRAM, e as regiões de memória externas são distribídas às regiões de memória internas de modo que todos os endereços internos possam usar portos normalmente. Em conseqüência, as características da operação podem ser mudadas na estrutura do SOC usando uma maneira do software.

 
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< Method of producing a ferroelectric memory and a memory device

< VIA0 etch process for FRAM integration

> Ferroelectric memory device and method of forming the same

> System and method for writing to a magnetic shift register

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