Electrical die contact structure and fabrication method

   
   

A semiconductor device of the invention includes an integrated circuit formed on a semiconductor substrate having first and second surfaces and edges. The first surface includes electrical contact pads electrically connected with the integrated circuit. The first surface of the semiconductor substrate includes a top protective layer that has a surface portion extending beyond the edges of the semiconductor substrate. The surface portion of the top protective layer includes electrical contact pads that are electrically connected with electrical contact pad extensions and with the integrated circuit. The second surface of the semiconductor substrate includes a multiplicity of backside electrical connectors that are in overlapping electrical contact with corresponding electrical contact pad extensions forming lap joint electrical connections between the backside electrical connectors and the corresponding electrical contact pad extensions. Methods for constructing such devices and connections are also disclosed.

Een halfgeleiderapparaat van de uitvinding omvat een geïntegreerde schakeling die op een halfgeleidersubstraat eerst en tweede oppervlakten en randen wordt gevormd die hebben. De eerste oppervlakte omvat elektrocontactstootkussens die elektrisch aan de geïntegreerde schakeling worden verbonden. De eerste oppervlakte van het halfgeleidersubstraat omvat een hoogste beschermende laag die een oppervlaktegedeelte heeft dat zich voorbij de randen van het halfgeleidersubstraat uitbreidt. Het oppervlaktegedeelte van de hoogste beschermende laag omvat elektrocontactstootkussens die elektrisch aan de elektrouitbreidingen van het contactstootkussen en aan de geïntegreerde schakeling worden verbonden. De tweede oppervlakte van het halfgeleidersubstraat omvat een multipliciteit van achtereind elektroschakelaars die in overlappend elektrocontact met de overeenkomstige elektrouitbreidingen die van het contactstootkussen overlappings gezamenlijke elektroverbindingen tussen de achtereind elektroschakelaars en de overeenkomstige elektrouitbreidingen van het contactstootkussen zijn vormen. De methodes om dergelijke apparaten en verbindingen worden te construeren ook onthuld.

 
Web www.patentalert.com

< Three-level unitary interconnect structure

< Semiconductor device using a multilayer wiring structure

> Method for encapsulating intermediate conductive elements connecting a semiconductor die to a substrate and semiconductor devices so packaged

> Display and method of manufacture

~ 00127