Display and method of manufacture

   
   

A field emissive display (40) having an anode plate (10) coupled to a cathode plate (20) and a method for manufacturing the field emissive display (40). A substrate (21) of the cathode plate (20) is manufactured or selected such that its coefficient of thermal expansion substantially matches that of the anode plate (10), i.e., the coefficients of thermal expansion of the cathode plate (20) and the anode plate (10) are within ten percent of each other. The cathode plate (20) is coupled to the anode plate (10) by means of a frit structure (41) whose coefficient of thermal expansion preferably substantially matches that of the cathode plate (20) and the anode plate (10). A control circuit can be mounted to the bottom surface of the field emissive display (40).

Индикация поля emissive (40) имея плиту анода (10) соединенную к плите катода (20) и методу для изготовлять индикацию поля emissive (40). Субстрат (21) плиты катода (20) изготовлен или выбрал такие что свой коэффициент спичек термального расширения существенн плиты анода (10), т.е., коэффициенты термального расширения катода покройте (20) и плита анода (10) находится не познее 10 процентов себя. Плита катода (20) соединена к плите анода (10) посредством структуры фритты (41) коэффициент спичек термального расширения предпочтительн существенн катода покрывают (20) и плиты анода (10). Цепь управления можно установить к нижней поверхности индикации поля emissive (40).

 
Web www.patentalert.com

< Electrical die contact structure and fabrication method

< Method for encapsulating intermediate conductive elements connecting a semiconductor die to a substrate and semiconductor devices so packaged

> Process and device for in-situ decontamination of a EUV lithography device

> Fabrication method for a semiconductor device with dummy patterns

~ 00127