A semiconductor device is fabricated by a method that includes forming a
conductive pattern on a semiconductor substrate, covering the conductive
pattern with a dielectric layer, and planarizing the dielectric layer by
chemical-mechanical polishing. To avoid global height differences, a dummy
pattern is added to the conductive pattern if a predetermined condition is
satisfied. The condition is based on the calculated density of the
conductive pattern in a region including the region in which the dummy
pattern is to be added. The calculated density may be adjusted according
to the type of equipment used to deposit the dielectric layer, and the
dummy pattern dimensions may be adjusted according to the calculated
density. Such calculations avoid the need for human judgment and lead to
more uniform planarization.
Un dispositivo a semiconduttore è fabbricato con un metodo che include formare un modello conduttivo su un substrato a semiconduttore, riguardare il modello conduttivo di strato dielettrico e planarizing lo strato dielettrico dalla lucidatura prodotto-meccanica. Per evitare le differenze globali di altezza, un modello fittizio è aggiunto al modello conduttivo se uno stato predeterminato è soddisfatto. La circostanza è basata sulla densità calcolata del modello conduttivo in una regione compreso la regione in cui il modello fittizio deve essere aggiunto. La densità calcolata può essere registrata secondo il tipo di apparecchiatura usato per depositare lo strato dielettrico e le dimensioni fittizie del modello possono essere registrate secondo la densità calcolata. Tali calcoli evitano l'esigenza di giudizio umano e conducono a più planarization dell'uniforme.
