A magnetic memory includes first and second magnetoresistance effect
elements (C1, C2) stacked on and under a first wiring (BL); and second and
third wirings (DL1, DL2) extending perpendicularly to the first wiring
(BL), such that one of two values of two-valued information is recorded by
supplying a current to the first wiring while supplying a current to the
second and third wirings respectively, and thereby simultaneously
reverting magnetization in recording layers of the first and second
magnetoresistance effect elements to predetermined directions
respectively; and a difference between output signals obtained from the
first and second magnetoresistance effect elements by supplying a sense
current thereto via the first wiring is detected and read out as one of
two values of the two-valued information.
Una memoria magnetica include in primo luogo e secondi elementi di effetto di magnetoresistenza (C1, C2) impilati su e sotto i primi collegamenti (BL); ed in secondo luogo e terzi collegamenti (DL1, DL2) estendentesi perpendicolarmente ai primi collegamenti (BL), tale che uno di due valori delle informazioni due-stimate è registrato fornendo una corrente ai primi collegamenti mentre fornisce una corrente ai secondi e terzi collegamenti rispettivamente e quindi simultaneamente ritornando la magnetizzazione negli strati della registrazione dei primi e secondi elementi di effetto di magnetoresistenza ai sensi predeterminati rispettivamente; e una differenza fra i segnali in uscita ottenuti dai primi e secondi elementi di effetto di magnetoresistenza fornendo una corrente di senso a ciò via i primi collegamenti è rilevata e letta fuori come uno di due valori delle informazioni due-stimate.
