An amorphous dielectric material having a dielectric constant of 10 or
greater is provided herein for use in fabricating capacitors in integrated
circuit applications. The amorphous dielectric material is formed using
temperatures below 450.degree. C.; therefore the BEOL metallurgy is not
adversely affected. The amorphous dielectric material of the present
invention exhibits good conformality and a low leakage current. Damascene
devices containing the capacitor of the present invention are also
disclosed.
Ένα άμορφο διηλεκτρικό υλικό που έχει μια διηλεκτρική σταθερά 10 ή μεγαλύτερος παρέχεται εν τω παρόντι για τη χρήση στην κατασκευή των πυκνωτών στις εφαρμογές ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Το άμορφο διηλεκτρικό υλικό διαμορφώνεται χρησιμοποιώντας τις θερμοκρασίες κάτω από 450.degree. Γ. επομένως η μεταλλουργία BEOL δεν επηρεάζεται αρνητικά. Το άμορφο διηλεκτρικό υλικό της παρούσας εφεύρεσης εκθέτει το καλό conformality και ένα χαμηλό ρεύμα διαρροής. Οι συσκευές Damascene που περιέχουν τον πυκνωτή της παρούσας εφεύρεσης αποκαλύπτονται επίσης.
