A ferroelectric random access memory has a ferroelectric capacitor formed
of a stacking of a lower electrode, a PZT film and an upper electrode of
SrRuO.sub.3, wherein the PZT film includes pinholes, with a pinhole
density of about 17 .mu.m.sup.2 or less.
Una memoria de acceso al azar ferroelectric tiene un condensador ferroelectric formado de apilar de un electrodo más bajo, de una película de PZT y de un electrodo superior de SrRuO.sub.3, en donde la película de PZT incluye agujeros de alfiler, con una densidad del agujero de alfiler del mu.m.sup.2 cerca de 17 o de menos.
