Method for fabricating a multi-layered dielectric layer including insulating layer having Si-CH3 bond therein

   
   

A multi-layered dielectric layer wherein the adhesion characteristic of an insulating layer including a Si--CH.sub.3 bond is improved, and a method of forming the same are provided. The multi-layered dielectric layer is formed on conductive patterns and includes a first insulating layer formed of a layer having a low dielectric constant including the Si--CH.sub.3 bond. In order to improve the adhesion characteristic of the first insulating layer, an adhesion surface is formed on the surface of the first insulating layer by treating the first insulating layer with plasma. In an alternative, the adhesion characteristics of the first insulating layer is improved by forming a buffer layer on the first insulating layer so that dipole--dipole interaction occurs between the first insulating layer and the buffer layer.

Eine vielschichtige dielektrische Schicht worin die Adhäsion charakteristisch von einer Isolierschicht einschließlich ein Silikon -- Bindung CH.sub.3 wird verbessert, und eine Methode der Formung dasselbe werden zur Verfügung gestellt. Die vielschichtige dielektrische Schicht ist auf Leiterbildas gebildet und eine erste Isolierschicht einschließt, die von einer Schicht gebildet wird, die eine niedrige Dielektrizitätskonstante einschließlich das Silikon -- Bindung CH.sub.3 hat. Um die Adhäsion zu verbessern, die von der ersten Isolierschicht charakteristisch ist, wird eine Adhäsion Oberfläche auf der Oberfläche der ersten Isolierschicht gebildet indem man die erste Isolierschicht mit Plasma behandelt. In einer Alternative wird die Adhäsion Eigenschaften der ersten Isolierschicht durch die Formung einer Pufferschicht auf der ersten Isolierschicht damit Dipol verbessert -- Dipolinteraktion tritt zwischen der ersten Isolierschicht und der Pufferschicht auf.

 
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