Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives

   
   

Disclosed are organometallic compounds derived from Groups VIIb, VIII, IX, and X metals useful as precursors for the formation of metal containing powders and for the chemical deposition of the metals on substrates, particularly for the chemical vapor deposition of metal films suitable for the manufacture of electronic devices. Methods for their use are also disclosed. The preferred organometallic compounds of the present invention are of the formula (R.sup.1).sub.m M(PR.sup.2.sub.3).sub.x, where M is a metal selected from the group consisting of manganese, technetium, rhenium, iron, cobalt, nickel, ruthenium, rhodium, palladium, osmium iridium and platinum wherein m is 0, 1, 2, 3 or 4; x is 2, 3, 4 or 5 and m+x are 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8, m and x selected according to each metals appropriate valence; each R.sup.1 is independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, N.sub.2, H.sub.2, D.sub.2 and a variety of substituted alkyl groups; each R.sup.2 is independently selected from the group consisting of lower alkyl, aryl, arylalkyl, and alkyl-Z, aryl-Z and arylalkyl-Z where Z is selected from the group consisting of oxy, silyl, siloxy, oxysilyl, siloxy, oxysiloxy, silyalkyl, oxysilylalkyl, siloxyalkyl, oxysiloxyalkyl, silylalkoxy, silylalkoxy, siloxyalkoxy and oxysiloxyalkoxy; and wherein when M is cobalt and one group R.sup.1 is selected to be N.sub.2, then m is 2 and the second group R.sup.1 is hydrogen or deuterium.

Показаны металлоорганические смеси выведенные от групп VIIb, VIII, IX, и металлов х полезных как прекурсоры для образования металла содержа порошки и для химически низложения металлов на субстратах, определенно для низложения химически пара пленок металла целесообразных для изготовления электронных приспособлений. Методы для их пользы также показаны. Предпочитаемые металлоорганические смеси присытствыющего вымысла формулы (R.sup.1).sub.m M(PR.sup.2.sub.3).sub.x, где м будет металл выбранный от марганца группы consist of, technetium, рения, утюга, кобальта, никеля, рутения, родия, палладиума, иридия осмия и платины при котором м 0, 1, 2, 3 или 4; x 2, 3, 4 или 5 и m+x 2, 3, 4, 5, 6, 7 или 8, м и х выбранные согласно каждому металлы присваивают значность; каждое R.sup.1 независимо выбрано от водопода группы consist of, дейтерия, N.sub.2, H.sub.2, D.sub.2 и разнообразия замененных алкиловых групп; каждое R.sup.2 независимо выбрано от алкила, арила, arylalkyl, и alkila-Z, arila-Z и arylalkyl-Z где з выбран от consist of группы oxy, силила, siloxy, oxysilyl, siloxy, oxysiloxy, silyalkyl, oxysilylalkyl, siloxyalkyl, oxysiloxyalkyl, silylalkoxy, silylalkoxy, siloxyalkoxy и oxysiloxyalkoxy группы consist of более низких; и при котором когда м будет кобальт и одной группой R.sup.1 выбрана быть N.sub.2, после этого м 2 и второй группой R.sup.1 будет водоподом или дейтерием.

 
Web www.patentalert.com

< Urea condensate-sewer sludge products

< Rheology modification of polymers prepared using metallocenes

> Integrated circuits using optical waveguide interconnects formed through a semiconductor wafer and methods for forming same

> Method of gasifying carbonaceous materials

~ 00126