Semiconductor device and package with high heat radiation effect

   
   

A conductive mounting board provided in a package has a recessed portion and a projecting portion, and an insulating mounting board is disposed on the recessed portion. The insulating mounting board is disposed on the recessed portion. The insulating mounting board has an insulating board on the surface of which a wiring portion is disposed. A semiconductor laser, constituted by stacked semiconductor layers each being made from a compound semiconductor composed of a group III based nitride, is disposed on the insulating mounting board and the conductive mounting board. An n-side electrode of the semiconductor laser is in contact with the insulating mounting board and a p-side electrode thereof is in contact with the conductive mounting board. Heat generated in the semiconductor laser is radiated via the conductive mounting board, and short-circuit between the n-side electrode and the p-side electrode is prevented by the insulating mounting board. In an alternative semiconductor device, the p-side electrode of the semiconductor element is fixed to the conductive mounting board and the n-side electrode thereof projects from the conductive mounting board.

Un panneau conducteur de support fourni dans un paquet a une partie enfoncée et une partie de projection, et un panneau isolant de support est disposé sur la partie enfoncée. Le panneau isolant de support est disposé sur la partie enfoncée. Le panneau isolant de support a un conseil isolant sur la surface de laquelle une partie de câblage est disposée. Un laser de semi-conducteur, constitué par le semi-conducteur empilé pose chacun qui est fait à partir d'un semi-conducteur composé composé de nitrure basée par III de groupe, est disposé sur le panneau isolant de support et le panneau conducteur de support. Une électrode de n-côté du laser de semi-conducteur est en contact avec le panneau isolant de support et une électrode de p-côté en est en contact avec le panneau conducteur de support. La chaleur produite dans le laser de semi-conducteur est rayonnée par l'intermédiaire du panneau conducteur de support, et le court-circuit entre l'électrode de n-côté et l'électrode de p-côté est empêché par le panneau isolant de support. Dans un dispositif de semi-conducteur alternatif, l'électrode de p-côté de l'élément de semi-conducteur est fixée au panneau conducteur de support et les projets d'électrode de n-côté en du support conducteur embarquent.

 
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