Capacitor for signal propagation across ground plane boundaries in superconductor integrated circuits

   
   

The self inductance associated with a capacitance A52 in a superconductor integrated circuit (FIG. 1) is reduced by adding a layer of superconductor metal (A54) overlying the capacitor, effectively producing a negative inductance to counteract the self-inductance of the capacitor leads, thereby reducing inductance of the circuit. As a result it possible to transfer a single flux quantum ("SFQ") pulse through the capacitor. Capacitors (19 and 25 FIG. 5) of the foregoing type are incorporated in superconductor integrated circuit SFQ transmission lines (FIG. 5) to permit SQUID-to-SQUID transfer of SFQ pulses, while maintaining the circuit grounds of the respective SQUIDs in DC isolation. Bias current (10) may be supplied to multiple SQUIDs (1 & 3, 7 & 9 FIG. 5) serially, reducing the supply current required previously for operation of multiple SQUIDs.

Индуктивность собственной личности связала с емкостью A52 в цепи superconductor интегрированной (FIG 1) уменьшено путем добавлять слой металла superconductor (A54) overlying конденсатор, эффективно производя отрицательную индуктивность для того чтобы противодействовать самоиндуктивность руководств конденсатора, таким образом уменьшая индуктивность цепи. В результате оно по возможности для возвращения одиночного ИМПА ульс суммы потока ("SFQ") через конденсатор. Конденсаторы (19 и 25 FIG 5) foregoing типа включено в линии передачи интегрированной цепи SFQ superconductor (FIG 5) для того чтобы позволить переход Кальмар-к-Kal6mara ИМПОВ ульс SFQ, пока поддерживающ земли цепи соответственно кальмаров в изоляции dc. Косое течение (10) может быть поставлено к множественным кальмарам (1 & 3, 7 & 9 FIG 5) серийно, уменьшающ течение поставкы требуемое ранее для деятельности множественных кальмаров.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board, and electronic instrument

< Pinhole defect repair by resist flow

> Semiconductor device and its fabrication method

> Method and apparatus to improve thickness uniformity of surfaces for integrated device manufacturing

~ 00126