A method is provided which includes planarizing structures and/or layers
such that step heights of reduced and more uniform thicknesses may be
formed. In particular, a method is provided which includes polishing an
upper layer of a topography to expose a first underlying layer and etching
away remaining portions of the first underlying layer to expose a second
underlying layer. The topography may then be subsequently planarized. As
such, a method for fabricating shallow trench isolation regions may
include forming one or more trenches extending through a stack arranged
over a semiconductor substrate. Such a method may further include blanket
depositing a dielectric over the trenches and the stack of layers such
that the trenches are filled by the dielectric. The dielectric may then be
planarized such that upper surfaces of the dielectric remaining within the
trenches are coplanar with an upper surface of an adjacent layer of the
stack.
Une méthode est fournie qui inclut les structures planarizing et/ou pose tels que des tailles d'étape de réduit et des épaisseurs plus uniformes peuvent être formées. En particulier, on fournit une méthode qui inclut polir une couche supérieure d'une topographie pour exposer une première couche fondamentale et graver à l'eau-forte les parties restantes parties de la première couche fondamentale à l'exposition par deuxième couche fondamentale. La topographie peut alors être planarized plus tard. En tant que tels, une méthode pour fabriquer des régions peu profondes d'isolement de fossé peut inclure former un ou plusieurs fossés passant à travers une pile disposée au-dessus d'un substrat de semi-conducteur. Une telle méthode peut plus loin inclure la couverture déposant un diélectrique au-dessus des fossés et la pile de couches tels que les fossés sont remplis par le diélectrique. Le diélectrique peut alors être planarized tels que les extrados du diélectrique restant dans les fossés sont coplanaires avec un extrados d'une couche adjacente de la pile.
