A fuse read sequence for a memory device obtains enhanced energy efficiency
by selectively reading or strobing antifuse or fuse circuit banks of the
memory device in response to operational commands of the memory device.
More particularly, the column antifuse circuit banks of an SDRAM are read
in response to a load mode register command and the row and option
antifuse circuit banks are read in response to auto refresh commands.
Furthermore, only half of the row/option antifuse circuit banks are read
on each auto refresh command.
Un fusible a indiqué l'ordre pour un bloc de mémoires obtient l'efficacité énergétique augmentée par des banques de circuit sélectivement d'indiquer ou d'antifuse ou de fusible d'effet stroboscopique du bloc de mémoires en réponse aux commandes opérationnelles du bloc de mémoires. Plus en particulier, les banques de circuit d'antifuse de colonne d'un SDRAM sont lues en réponse à une commande de registre de mode de charge et les banques de circuit d'antifuse de rangée et d'option sont lues en réponse à l'automobile régénèrent des commandes. En outre, seulement la moitié des banques de circuit d'antifuse de row/option sont lues sur chaque automobile régénèrent la commande.
