Antiparallel magnetoresistive memory cells

   
   

A ferromagnetic thin-film based digital memory having a plurality of bit structures electrically interconnected with information storage and retrieval circuitry that avoids information loss in one bit structure because of operating the others through this circuitry. Each of these bit structures formed of a relative orientation maintenance intermediate layer having two major surfaces on opposite sides thereof with a pair of memory films of an anisotropic ferromagnetic material each on a corresponding one of said relative orientation maintenance intermediate layer major surfaces. The relative orientation maintenance intermediate layer is of a material and a selected thickness so as to maintain magnetizations of said memory films oriented in substantially opposite directions. Interconnection electrodes pairs are each in electrically conductive contact with a corresponding one of the bit structures on substantially opposite sides thereof near or at substantially opposite edges of the relative orientation maintenance intermediate layer major surface. A magnetization reference direction layer able to maintain relatively well its magnetization orientation can be provided across a nonmagnetic layer from one of the pair of memory films with the nonmagnetic layer being either electrically conductive or insulative.

Una memoria digital basada thin-film ferromagnética que tiene una pluralidad de estructuras del pedacito interconectadas eléctricamente con el trazado de circuito del almacenaje y de la recuperación de información que evita pérdida de la información en una estructura del pedacito debido a el funcionamiento de las otras a través de este trazado de circuito. Cada uno de estas estructuras del pedacito formó de una capa intermedia del mantenimiento relativo de la orientación que tenía dos superficies importantes en lados opuestos de eso con un par de películas de la memoria de un material ferromagnético anisotropic cada uno en correspondiente de las superficies relativas dichas del comandante de la capa intermedia del mantenimiento de la orientación. La capa intermedia del mantenimiento relativo de la orientación está de un material y de un grueso seleccionado para mantener magnetizaciones de las películas dichas de la memoria orientadas en substancialmente enfrente de direcciones. Los pares de los electrodos de la interconexión son cada uno en contacto eléctricamente conductor con correspondiente de las estructuras del pedacito en substancialmente enfrente de lados de eso cerca o en de substancialmente enfrente de los bordes de la superficie relativa del comandante de la capa intermedia del mantenimiento de la orientación. Una capa de la dirección de la referencia de la magnetización capaz de mantener su orientación de la magnetización se puede proporcionar relativamente bien a través de una capa no magnética a partir de la una del par de películas de la memoria de la capa no magnética que es eléctricamente conductora o insulative.

 
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