Methods of preparing dual workfunction high-performance support metal oxide
semiconductor field effect transistor (MOSFETs)/embedded dynamic random
access (EDRAM) arrays are provided. The methods describe herein reduce the
number of deep-UV masks used in forming the memory structure, decouple the
support and arraying processing steps, provide salicided gates,
source/drain regions and bitlines, and provide, in some instances, local
interconnects at no additional processing costs. Dual workfunction
high-performance support MOSFETs/EDRAM arrays having a gate conductor
guard ring and/or local interconnections are also provided.
Методы подготовлять транзистор влияния поля полупроводника окиси металла поддержки двойного workfunction high-performance (предусмотрены блоки случайного доступа MOSFETs)/embedded динамические (EDRAM). Методы описывают здесь уменьшают число глубок-deep-UV маск используемых в формировать структуру памяти, decouple поддержка и одевая обрабатывая шаги, обеспечивают salicided стробы, зоны source/drain и bitlines, и обеспечивают, in some instances, местное соединяют на никаких дополнительных обрабатывая ценах. Блоки поддержки MOSFETs/EDRAM двойного workfunction high-performance имея кольцо and/or местные соединения предохранителя проводника строба также предусмотрены.
